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文献
J-GLOBAL ID：200902137656627228
整理番号：02A0597251
分子ビームエピタクシーにより(775)B GaAs基板上に成長させた積層InGaAs量子細線レーザの高い特性温度(T0=243K)
High characteristic temperature (T0=243K) of stacked InGaAs quantum wire lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy.
OHNO Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KANAMORI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMOMURA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HIYAMIZU S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 20 号： 3 ページ： 1270-1273 発行年： 2002年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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