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文献
J-GLOBAL ID：200902137716348188
整理番号：98A0349000
InxGa1-xN分子ビームエピタキシャル成長の実時間制御
Real time control of InxGa1-xN molecular beam epitaxy growth.
GRANDJEAN N
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
MASSIES J
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 9 ページ： 1078-1080 発行年： 1998年03月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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