前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902137737352681   整理番号:99A0053927

自立したHVPE成長GaN基板の調製と特性

Preparation and properties of free-standing HVPE grown GaN substrates.
著者 (5件):
KIM S T
(Taejon National Univ. Technol., Taejon, KOR)
LEE Y J
(Taejon National Univ. Technol., Taejon, KOR)
MOON D C
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
HONG C H
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
YOO T K
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 194  号:ページ: 37-42  発行年: 1998年11月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。