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文献
J-GLOBAL ID：200902137737352681
整理番号：99A0053927
自立したHVPE成長GaN基板の調製と特性
Preparation and properties of free-standing HVPE grown GaN substrates.
KIM S T
(Taejon National Univ. Technol., Taejon, KOR)
,
LEE Y J
(Taejon National Univ. Technol., Taejon, KOR)
,
MOON D C
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
HONG C H
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
,
YOO T K
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 194 号： 1 ページ： 37-42 発行年： 1998年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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