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文献
J-GLOBAL ID：200902137744863705
整理番号：98A0259059
(0001)サファイア基板上でのアンモニアを用いた窒化ガリウムの分子ビームエピタクシー
Molecular-beam epitaxy of gallium nitride on (0001) sapphire substrates using ammonia.
GRANDJEAN N
(Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
MASSIES J
(Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
VENNEGUES P
(Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
LEROUX M
(Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
DEMANGEOT F
(Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA)
,
RENUCCI M
(Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA)
,
FRANDON J
(Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 83 号： 3 ページ： 1379-1383 発行年： 1998年02月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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