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文献
J-GLOBAL ID：200902137864933812
整理番号：00A0059397
水素化物気相エピタクシーによってSiC基板上に成長させた絶縁性GaN:Zn層
Insulating GaN:Zn layers grown by hydride vapor phase epitaxy on SiC substrates.
KUZNETSOV N I
(A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
NIKOLAEV A E
(A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
ZUBRILOV A S
(A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
MELNIK YU V
(TDI, Inc., Maryland)
,
DMITRIEV V A
(TDI, Inc., Maryland)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 20 ページ： 3138-3140 発行年： 1999年11月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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