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J-GLOBAL ID：200902138118914981 整理番号：02A0393955

シランと窒素を用いた誘導結合プラズマにより堆積した窒化けい素

Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using silane and nitrogen.

著者 (3件)：

DA SILVA ZAMBOM L

(Univ. Sao Paulo, SP, BRA)

DOMINGUES MANSANO R

(Univ. Sao Paulo, SP, BRA)

FURLAN R

(Univ. Sao Paulo, SP, BRA)

資料名：

Vacuum (Vacuum)

巻： 65 号： 2 ページ： 213-220 発行年： 2002年04月19日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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