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文献
J-GLOBAL ID：200902138138098315
整理番号：02A0597324
強く歪んだGaInAs/GaAs量子井戸へのアニーリング効果
Effect of Annealing on Highly Strained GaInAs/GaAs Quantum Wells.
KONDO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
ARAI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
AZUCHI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
UCHIDA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MIYAMOTO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 6A ページ： L612-L614 発行年： 2002年06月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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