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文献
J-GLOBAL ID：200902138178551012
整理番号：00A0544447
AFM/Kelvinプローブ法によって検出したSi量子ドットの荷電状態
Charging States of Si Quantum Dots as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique.
SHIMIZU N
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
IKEDA M
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOSHIDA E
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MURAKAMI H
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MIYAZAKI S
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 4B ページ： 2318-2320 発行年： 2000年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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