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文献
J-GLOBAL ID：200902138258248701
整理番号：96A0656384
高温の電力エレクトロニクスに応用する6H-SiC UMOS FET及びIGBTの設計とシミュレーション
Design and simulation of 6H-SiC UMOS FET and IGBT for high-temperature power electronics applications.
RAMUNGUL N
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.)
,
TYAGI R
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.)
,
BHALLA A
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.)
,
CHOW T P
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.)
,
GHEZZO M
(General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.)
,
KRETCHMER J
(General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.)
,
HENNESSY W
(General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.)
資料名：
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号： 142 ページ： 773-776 発行年： 1996年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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