文献
J-GLOBAL ID:200902138262016939
整理番号:01A0989595
Si1-xGex/Si三重障壁ダイオードにおける室温での高ピーク-谷比の電子共鳴トンネル
Electron resonant tunneling with a high peak-to-valley ratio at room temperature in Si1-xGex/Si triple barrier diodes.
著者 (2件):
SUDA Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KOYAMA H
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
79
号:
14
ページ:
2273-2275
発行年:
2001年10月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)