文献
J-GLOBAL ID:200902138304639141
整理番号:93A0682872
ふっ化エルビウムを絶縁体とするシリコンMIS構造における記憶を持つ抵抗の電気的スイッチング
Electrical switching of the resistance with memory in silicon MIS structures with erbium fluoride as the insulator.
著者 (2件):
ROZHKOV V A
(State Univ., Samara, SUN)
,
SHALIMOVA M B
(State Univ., Samara, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
3
ページ:
245-249
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)