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文献
J-GLOBAL ID：200902138555733309
整理番号：96A0053156
ホモエピタキシャル成長ダイヤモンド(111)膜の成長表面と酸化表面に形成させたSchottky障壁の電気的性質
Electrical properties of Schottky barrier formed on as-grown and oxidized surface of homoepitaxially grown diamond (001) film.
KIYOTA H
(Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN)
,
MATSUSHIMA E
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SATO K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
OKUSHI H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ANDO T
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
KAMO M
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
SATO Y
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
IIDA M
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 24 ページ： 3596-3598 発行年： 1995年12月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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