文献
J-GLOBAL ID:200902138578597739
整理番号:98A0118479
CMOSデバイスでの超薄ゲート酸化膜の厚みの正確な決定及び効果的なポリシリコンドーピング
Accurate Determination of Ultrathin Gate Oxide Thickness and Effective Polysilicon Doping of CMOS Devices.
著者 (7件):
GUPTA A
(Advanced Micro Devices, CA, USA)
,
FANG P
(Advanced Micro Devices, CA, USA)
,
SONG M
(Advanced Micro Devices, CA, USA)
,
LIN M-R
(Advanced Micro Devices, CA, USA)
,
WOLLESEN D
(Advanced Micro Devices, CA, USA)
,
CHEN K
(Univ. California, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
18
号:
12
ページ:
580-582
発行年:
1997年12月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)