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文献
J-GLOBAL ID:200902138615413015   整理番号:00A0710547

固相エピタクシーでのSi(111)上におけるGeの核形成と成長

Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy.
著者 (8件):
SUZUMURA I
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
OKADA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
MUTO A
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
TORIGE Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
IKEDA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
SAKAI A
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
ZAIMA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
YASUDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 369  号: 1/2  ページ: 116-120  発行年: 2000年07月03日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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