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文献
J-GLOBAL ID：200902138646664148
整理番号：00A0710606
シリコンベースの縦型MOSゲートEsakiトンネルトランジスタ
A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon.
HANSCH W
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
,
FINK C
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
,
SCHULZE J
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
,
EISELE I
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 369 号： 1/2 ページ： 387-389 発行年： 2000年07月03日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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