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文献
J-GLOBAL ID：200902138646850502
整理番号：02A0795626
能動領域のP型変調ドーピングによる低しきい値高T01.3μmInAs量子ドットレーザ
Low-Threshold High-To 1.3-μm InAs Quantum-Dot Lasers Due to P-type Modulation Doping of the Active Region.
SHCHEKIN O B
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
DEPPE D G
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 14 号： 9 ページ： 1231-1233 発行年： 2002年09月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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