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文献
J-GLOBAL ID：200902138650041252
整理番号：93A0979979
GaSbとInSbのMOVPE成長に使用する材料の改良
Improved materials for MOVPE growth of GaSb and InSb.
GRAHAM R M
(Univ. Oxford, Oxford, GBR)
,
JONES A C
(Epichem Ltd. Bromborough, GBR)
,
MASON N J
(Univ. Oxford, Oxford, GBR)
,
RUSHWORTH S
(Epichem Ltd. Bromborough, GBR)
,
SALESSE A
(Univ. Oxford, Oxford, GBR)
,
SEONG T-Y
(Univ. Oxford, Oxford, GBR)
,
BOOKER G
(Univ. Oxford, Oxford, GBR)
,
SMITH L
(Epichem Ltd. Bromborough, GBR)
,
WALKER P J
(Univ. Oxford, Oxford, GBR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 8 号： 10 ページ： 1797-1802 発行年： 1993年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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