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文献
J-GLOBAL ID：200902138658587688
整理番号：93A0977170
二つのフィールド低減層を用いた接合分離電力IC技術における1200V高圧側ラテラルMOSFET
1200V High-Side Lateral MOSFET in Junction-Isolated Power IC Technology Using Two Field-Reduction Layers.
AJIT J S
(International Rectifier, CA)
,
KINZER D
(International Rectifier, CA)
,
RANJAN N
(International Rectifier, CA)
資料名：
Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993
(Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993)
ページ： 230-235 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930580 ISBN： 0-7803-1314-3 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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