文献
J-GLOBAL ID:200902138763746805
整理番号:93A0902734
InGaAs/InP多重量子井戸構造においてバンドギャップエネルギーを制御したInGaAsP/InP層の選択的有機金属気相エピタキシャル成長
Selective metalorganic vapor phase epitaxial growth of InGaAsP/InP layers with bandgap energy control in InGaAs/InGaAsP multiple-quantum well structures.
著者 (3件):
SASAKI T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
KITAMURA M
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
MITO I
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
132
号:
3/4
ページ:
435-443
発行年:
1993年09月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)