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文献
J-GLOBAL ID：200902138869627007
整理番号：97A0466839
変調ドープGaN/AlGaN構造における電子ガス
Electron gas in modulation doped GaN/AlGaN structures.
BERGMAN J P
(Linkoeping Univ., Likoeping, SWE)
,
BUYANOV A
(Linkoeping Univ., Likoeping, SWE)
,
LUNDSTROEM T
(Linkoeping Univ., Likoeping, SWE)
,
MONEMAR B
(Linkoeping Univ., Likoeping, SWE)
,
AMANO H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI I
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 43 号： 1/3 ページ： 207-210 発行年： 1997年01月
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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