文献
J-GLOBAL ID:200902138911559521
整理番号:94A0113701
High-resolution electron microscopy of radiation damage in implanted and laser treated GaAs.
著者 (4件):
PASHOV N
(Inst. Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, BGR)
,
KALITZOVA M
(Inst. Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, BGR)
,
ROSSI M
(Univ. “La Sapienza”, Roma, ITA)
,
VITALI G
(Univ. “La Sapienza”, Roma, ITA)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
134
ページ:
535-538
発行年:
1993年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)