文献
J-GLOBAL ID:200902138964091335
整理番号:03A0046572
In0.15Ga0.85As歪緩和キャップ層を有するInAs量子ドット赤外検出器
InAs quantum dot infrared photodetectors with In0.15Ga0.85As strain-relief cap layers.
著者 (5件):
YE Z
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
CAMPBELL J C
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
CHEN Z
(Univ. Southern California, California)
,
KIM E-T
(Univ. Southern California, California)
,
MADHUKAR A
(Univ. Southern California, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
92
号:
12
ページ:
7462-7468
発行年:
2002年12月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)