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文献
J-GLOBAL ID：200902138976447283
整理番号：98A0348904
線幅ゆらぎが最小のナノパターンを形成するための三次元シロキサンレジスト
Three-dimensional siloxane resist for the formation of nanopatterns with minimum linewidth fluctuations.
NAMATSU H
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
YAMAZAKI K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
NAGASE M
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KURIHARA K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 16 号： 1 ページ： 69-76 発行年： 1998年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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