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文献
J-GLOBAL ID：200902139072748972
整理番号：01A0914445
SiCに関する局所エピタクシーおよび横エピタキシャル被覆成長
Local epitaxy and lateral epitaxial overgrowth of SiC.
KHLEBNIKOV Y
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
KHLEBNIKOV I
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
PARKER M
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
SUDARSHAN T S
(Univ. South Carolina, SC, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 233 号： 1/2 ページ： 112-120 発行年： 2001年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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