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文献
J-GLOBAL ID：200902139079233307
整理番号：01A0823401
ヘキサメチルジシランを使いSi基板に成長したヘテロエピタキシャル3C-SiCの深い準位の研究
Deep Level Study in Heteroepitaxial 3C-SiC Grown on Si by Hexamethyldisilane.
KATO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ARAI E
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
MASUDA Y
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
CHEN Y
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
NISHINO S
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 8 ページ： 4943-4947 発行年： 2001年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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