文献
J-GLOBAL ID:200902139162952269
整理番号:00A0544407
シナプス素子としてPt/SrBi2Ta2O9/Pt/Ti/SiO2/Si構造の電界効果トランジスタを使用した強誘電体ニューロン回路のメモリ保持特性の改善
Improvement of Memory Retention Characteristics in Ferroelectric Neuron Circuits Using a Pt/SrBi2Ta2O9/Pt/Ti/SiO2/Si Structure-Field Effect Transistor as a Synapse Device.
著者 (3件):
YOON S-M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TOKUMITSU E
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
ISHIWARA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
39
号:
4B
ページ:
2119-2124
発行年:
2000年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)