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文献
J-GLOBAL ID：200902139258984196
整理番号：96A0193367
GaNエピタキシャル膜のX線回折ピーク幅に対する貫通転位構造の役割
Role of threading dislocation structure on the x-ray diffraction peak widths in epitaxial GaN films.
HEYING B
(Univ. California, California)
,
WU X H
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
LI Y
(Univ. California, California)
,
KAPOLNEK D
(Univ. California, California)
,
KELLER B P
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 5 ページ： 643-645 発行年： 1996年01月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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