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文献
J-GLOBAL ID：200902139259531209
整理番号：98A0201170
Si上の酸化したAlN膜の容量電圧特性に及ぼす酸化温度の効果
The effects of oxidation temperature on the capacitance-voltage characteristics of oxidized AlN films on Si.
KOLODZEY J
(Univ. Delaware, Delaware)
,
CHOWDHURY E A
(Univ. Delaware, Delaware)
,
QUI G
(Univ. Delaware, Delaware)
,
OLOWOLAFE J
(Univ. Delaware, Delaware)
,
SWANN C P
(Univ. Delaware, Delaware)
,
UNRUH K M
(Univ. Delaware, Delaware)
,
SUEHLE J
(National Inst. Standards and Technol., Maryland)
,
WILSON R G
(Hughes Res. Lab., California)
,
ZAVADA J M
(ARO, North Carolina)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 26 ページ： 3802-3804 発行年： 1997年12月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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