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文献
J-GLOBAL ID：200902139290615038
整理番号：99A0486108
Pendeo-エピタキシー 窒化ガリウム膜の横成長のための新アプローチ
Pendeo-epitaxy: A new approach for lateral growth of gallium nitride films.
ZHELEVA T S
,
SMITH S A
,
THOMSON D B
,
LINTHICUM K J
,
RAJAGOPAL P
,
DAVIS R F
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 28 号： 4 ページ： L5-L8 発行年： 1999年04月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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