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文献
J-GLOBAL ID：200902139357251761
整理番号：00A0040765
水素注入n型シリコンにおける電子トラップの光照射誘起変換
Light-illumination-induced transformation of electron traps in hydrogen-implanted n-type silicon.
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
,
SHIMADA H
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
,
ITO A
(Suzuka National Coll. Technol., Suzuka, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 86 号： 10 ページ： 5630-5635 発行年： 1999年11月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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