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文献
J-GLOBAL ID：200902139460601371
整理番号：03A0050976
278nmで発光するサファイア上のミリワット出力深紫外発光ダイオード
Milliwatt power deep ultraviolet light-emitting diodes over sapphire with emission at 278 nm.
ZHANG J P
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
CHITNIS A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
ADIVARAHAN V
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
WU S
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
MANDAVILLI V
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
PACHIPULUSU R
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
SHATALOV M
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
SIMIN G
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
YANG J W
(Univ. South Carolina, South Carolina)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 26 ページ： 4910-4912 発行年： 2002年12月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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