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文献
J-GLOBAL ID：200902139480502205
整理番号：97A1036811
分離ゲートソースサイド注入及びONO電荷貯蔵積層構造の新しいフラッシュメモリデバイス
A Novel Flash Memory Device with SPlit Gate Source Side Injection and ONO Charge Storage Stack(SPIN).
CHEN W-M
(Motorola, TX)
,
SWIFT C
(Motorola, TX)
,
ROBERTS D
(Motorola, TX)
,
FORBES K
(Motorola, TX)
,
HIGMAN J
(Motorola, TX)
,
MAITI B
(Motorola, TX)
,
PAULSON W
(Motorola, TX)
,
CHANG K-T
(Motorola, TX)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1997 ページ： 63-64 発行年： 1997年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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