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文献
J-GLOBAL ID：200902139708333271
整理番号：99A0390429
湿式酸化/アニールが熱酸化SiO2/SiC MOS系の界面の性質およびMOSFETに及ぼす効果
Effects of Wet Oxidation/Anneal on Interface Properties of Thermally Oxidized SiO2/SiC MOS System and MOSFET’s.
YANO H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KATAFUCHI F
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46 号： 3 ページ： 504-510 発行年： 1999年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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