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文献
J-GLOBAL ID:200902139807715453   整理番号:98A0016831

種々の界面欠陥およびバルク欠陥状態を持つ非晶質シリコン薄膜トランジスタの不安定特性

The Instability Characteristics of Amorphous Silicon Thin Film Transistors with Various Interfacial and Bulk Defect States.
著者 (5件):
CHENG H-C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
TSAI J-W
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
HUANG C-Y
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
LUO F-C
(Unipac Optoelectronics Corp., Hsinchu, TWN)
TUAN H-C
(Unipac Optoelectronics Corp., Hsinchu, TWN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 36  号: 10  ページ: 6226-6229  発行年: 1997年10月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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