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文献
J-GLOBAL ID：200902139905391020
整理番号：95A0286548
真性GaAs量子井戸におけるスピン緩和 励起子局在の影響
Spin relaxation in intrinsic GaAs quantum wells: Influence of excitonic localization.
MUNOZ L
(Univ. Autonoma de Madrid, Madrid, ESP)
,
PEREZ E
(Univ. Autonoma de Madrid, Madrid, ESP)
,
VINA L
(Univ. Autonoma de Madrid, Madrid, ESP)
,
PLOOG K
(Paul Drude Inst., Berlin, DEU)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 51 号： 7 ページ： 4247-4257 発行年： 1995年02月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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