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文献
J-GLOBAL ID：200902139910026879
整理番号：98A0833229
CH4/H2反応性イオンエッチングによって起こる側壁損傷の電気的評価
Electrical Evaluation of Sidewall Damage Caused by CH4/H2 Reactive Ion Etching.
YUDA M
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
KONDO S
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
NOGUCHI Y
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
KISHI K
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 8 ページ： 4624-4626 発行年： 1998年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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