文献
J-GLOBAL ID:200902140187240482
整理番号:99A0852931
分子ビームエピタクシーによる微傾斜GaAs(110)基板上のInAs量子細線の透過型電子顕微鏡観察と光ルミネセンスによる特性評価
Transmission Electron Microscopy and Photoluminescence Characterization of InAs Quantum Wires on Vicinal GaAs(110) Substrates by Molecular Beam Epitaxy.
著者 (5件):
TORII S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
BANDO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIM B-R
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MAEHASHI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKASHIMA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
38
号:
8
ページ:
4673-4675
発行年:
1999年08月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)