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文献
J-GLOBAL ID：200902140269848756
整理番号：99A0866322
遠隔プラズマ化学蒸着により形成した純窒化けい素超薄膜の界面特性
Interfacial properties of ultrathin pure silicon nitride formed by remote plasma enhanced chemical vapor deposition.
MISRA V
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
LAZAR H
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
WANG Z
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
WU Y
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
NIIMI H
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
WORTMAN J J
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
HAUSER J R
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 17 号： 4 ページ： 1836-1839 発行年： 1999年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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