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文献
J-GLOBAL ID:200902140291155969   整理番号:96A0443695

金属-酸化物-半導体の大規模集積回路中のゲート酸化物欠陥の起源としての八面体構造の巨大析出物

Octahedral-Structured Gigantic Precipitates as the Origin of Gate-Oxide Defects in Metal-Oxide-Semiconductor Large-Scale-Integrated Circuits.
著者 (5件):
ITSUMI M
(NTT, Kanagawa, JPN)
AKIYA H
(NTT, Kanagawa, JPN)
UEKI T
(NTT, Kanagawa, JPN)
TOMITA M
(NTT, Tokyo, JPN)
YAMAWAKI M
(NTT, Tokyo, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 35  号: 2B  ページ: 812-817  発行年: 1996年02月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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