文献
J-GLOBAL ID:200902140424804906
整理番号:99A0784259
エピタキシャル・δドープチャネルを有するサブ-0.1μmMOSFETにおける無秩序なドーパント誘起しきい値電圧ゆらぎの抑制
Suppression of Random Dopant-Induced Threshold Voltage Fluctuations in Sub-0.1-μm MOSFET’s with Epitaxial and δ-Doped Channels.
著者 (2件):
ASENOV A
(Univ. Glasgow, Scotland, GBR)
,
SAINI S
(NASA Ames Res. Center, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
46
号:
8
ページ:
1718-1724
発行年:
1999年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)