文献
J-GLOBAL ID:200902140456979724
整理番号:97A0975453
ソフトエラー免除のための逆行井戸とエピタクシー層を持ったダイオードにおける電荷担体蓄積の抑制
Suppression of charge carrier collection in diode with retrograde well and epitaxial layers for soft-error immunity.
著者 (8件):
KISHIMOTO T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAKAI M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OHNO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KINOMURA A
(AIST, Osaka, JPN)
,
HORINO Y
(AIST, Osaka, JPN)
,
FUJII K
(AIST, Osaka, JPN)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
130
号:
1/4
ページ:
524-527
発行年:
1997年07月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)