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文献
J-GLOBAL ID：200902140509131412
整理番号：97A0416538
III-V半導体における原子間力顕微鏡によるナノ構造パターン
Nanostructure patterns written in III-V semiconductors by an atomic force microscope.
MAGNO R
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
BENNETT B R
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 14 ページ： 1855-1857 発行年： 1997年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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