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文献
J-GLOBAL ID：200902140563355717
整理番号：99A0999407
横方向に被覆成長したエピタキシャルGaN基板上に成長させたInGaNおよびGaNの単一量子井戸構造の紫外発光ダイオード
Ultraviolet InGaN and GaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes Grown on Epitaxially Laterally Overgrown GaN Substrates.
MUKAI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 10 ページ： 5735-5739 発行年： 1999年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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