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文献
J-GLOBAL ID：200902140764114580
整理番号：97A0501334
スマートカット 水素注入とウエハ貼合せに基づいた新しいシリコンオン絶縁体技術
Smart-Cut: A New Silicon On Insulator Material Technology Based on Hydrogen Implantation and Wafer Bonding.
BRUEL M
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
ASPAR B
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
AUBERTON-HERVE A-J
(SOITEC, Grenoble, FRA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 3B ページ： 1636-1641 発行年： 1997年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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