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文献
J-GLOBAL ID：200902140850427141
整理番号：03A0088413
高κ誘電体と金属のゲートを有する400°C以下のゲルマニウムMOSFET技術
A Sub-400°C Germanium MOSFET Technology with High-κ Dielectric and Metal Gate.
CHUI C O
(Stanford Univ., CA, USA)
,
KIM H
(Stanford Univ., CA, USA)
,
CHI D
(Stanford Univ., CA, USA)
,
TRIPLETT B B
(Stanford Univ., CA, USA)
,
MCINTYRE P C
(Stanford Univ., CA, USA)
,
SARASWAT K C
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002 ページ： 437-440 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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