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文献
J-GLOBAL ID：200902141386512293
整理番号：00A0111697
SeS2を使うエピタキシャルリフトオフ技術によるSi上の高品質GaAs
High-quality GaAs on Si substrate by the epitaxial lift-off technique using SeS2.
AROKIARAJ J
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SOGA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 24 ページ： 3826-3828 発行年： 1999年12月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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