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文献
J-GLOBAL ID：200902141429842543
整理番号：98A0807080
有機金属気相エピタクシーによるSiO2マスクを使ったSi基板上へのGaNの選択領域成長
Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO2 Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
KAWAGUCHI Y
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
HONDA Y
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
MATSUSHIMA H
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
YAMAGUCHI M
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 8B ページ： L966-L969 発行年： 1998年08月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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