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文献
J-GLOBAL ID：200902141458732960
整理番号：00A1061589
水素化物気相エピタクシー法による高品質GaNの二段階成長
Two-step growth of high-quality GaN by hydride vapor-phase epitaxy.
TAVERNIER P R
(Univ. California, California)
,
ETZKORN E V
(Univ. California, California)
,
WANG Y
(Univ. California, California)
,
CLARKE D R
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 12 ページ： 1804-1806 発行年： 2000年09月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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