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文献

J-GLOBAL ID：200902141469519729 整理番号：94A0538818

Ultrafast hot-electron dynamics in silicon.

著者 (2件)：

GOLDMAN J R

(AT&T Bell Lab., NJ, USA)

PRYBYLA J A

(AT&T Bell Lab., NJ, USA)

資料名：

Semiconductor Science and Technology (Semiconductor Science and Technology)

巻： 9 号： 5S ページ： 694-696 発行年： 1994年05月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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