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文献
J-GLOBAL ID：200902141539211808
整理番号：02A0551473
MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化
Hight-Quality AlN Eptaxial film and GaN growth on the AlN/Sapphire Templates by MOVPE.
田中光浩
(日本碍子)
,
柴田智彦
(日本碍子)
,
坂井正宏
(日本碍子)
,
小田修
(日本碍子)
,
三宅秀人
(三重大)
,
平松和政
(三重大)
,
石川博康
(名古屋工大 極微構造デバイス研セ)
,
江川孝志
(名古屋工大 極微構造デバイス研セ)
,
神保孝志
(名古屋工大 極微構造デバイス研セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102 号： 80(SDM2002 13-27) ページ： 9-14 発行年： 2002年05月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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