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文献
J-GLOBAL ID:200902141539211808   整理番号:02A0551473

MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化

Hight-Quality AlN Eptaxial film and GaN growth on the AlN/Sapphire Templates by MOVPE.
著者 (9件):
田中光浩
(日本碍子)
柴田智彦
(日本碍子)
坂井正宏
(日本碍子)
小田修
(日本碍子)
三宅秀人
(三重大)
平松和政
(三重大)
石川博康
(名古屋工大 極微構造デバイス研セ)
江川孝志
(名古屋工大 極微構造デバイス研セ)
神保孝志
(名古屋工大 極微構造デバイス研セ)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 102  号: 80(SDM2002 13-27)  ページ: 9-14  発行年: 2002年05月23日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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